我國研究團隊在Micro LED顯示技術上取得重大突破

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 15 日 11:08 | 分類 Micro LED

Micro LED是指以微米量級LED為發光像素單元,將其與驅動模塊組裝形成高密度顯示陣列的技術。與當前主流的LCD、OLED等顯示技術相比,Micro LED在亮度、分辨率、能耗、使用壽命、響應速度和熱穩定性等方面具有跨代優勢,是國際公認的未來顯示技術。

然而,Micro LED的產業化目前仍面臨諸多挑戰。首先,小尺寸下高密度顯示單元的驅動需求難以匹配。其次,產業界流行的巨量轉移技術在成本和良率上難以滿足高分辨率顯示的發展需求。特別對于AR/VR等超高分辨應用,不僅要求分辨率超過3000PPI,而且還需要顯示像元有更快的響應頻率。

廈門市未來顯示技術研究院張榮教授與南京大學、東南大學、天馬微電子股份有限公司等單位合作提出了基于MoS?薄膜晶體管驅動電路、單片集成的超高分辨Micro LED顯示技術方案。

團隊開發出非“巨量轉移”的低溫單片異質集成技術,采用近乎無損傷的大尺寸二維半導體TFT制造工藝,實現了32×32陣列1270 PPI的高亮度、高分辨率微顯示器,可以滿足未來微顯示、車載顯示、可見光通訊等跨領域應用。

其中,相較于傳統二維半導體器件工藝,團隊研發的新型工藝將薄膜晶體管性能提升超過200%,差異度降低67%,最大驅動電流超過200μA/μm,優于IGZO、LTPS等商用材料,展示出二維半導體材料在顯示驅動產業方面的巨大應用潛力。

原子級薄晶體管矩陣驅動的三維單片微型LED顯示器

該研究成果撰文《Three-dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically thin transistor matrix》并于2021年9月9日發表在Nature Nanotechnology上(通訊作者為王欣然教授、劉斌教授、施毅教授和張榮教授)。

這是在國際上首次將高性能二維半導體TFT與Micro LED兩個新興技術融合,為未來Micro LED顯示技術發展提供了全新技術路線。(來源:嘉庚創新實驗室)

更多LED相關資訊,請點擊LED網或關注微信公眾賬號cnledw2013)?。